近日，micro led技术领域迎来了三大进展。其中：
■ 陈学元团队成功研发出新型高效近红外量子点荧光粉，首次应用于micro led
■ cealeti发表两篇论文，均和micro led技术进展相关
01
研发新型高效近红外量子点荧光粉，并首用于micro led
近期，中国科学院福建物质结构研究所、闽都创新实验室的陈学元团队涂大涛研究员等，成功研发出cuinse2:zn2 （cise: zn2 ）基高效近红外量子点荧光粉，并首次将其应用于micro led。
图源：福建物构所尊龙人生就是博官网
这是一种基于铜铟硒量子点（cise qd）的高效近红外纳米荧光粉。团队通过精准设计cu/in和zn/in组分比，实现了发射峰从750 nm至1150 nm的宽范围调控；通过涂覆 znse 壳，近红外绝对量子产率高达92.8%。
与此同时，团队还与福州大学合作，利用电流体喷印技术，将cise:zn2 @znse荧光粉应用于近红外micro led；特别是，蓝光芯片点亮后，阵列发出很强的近红外光信号，发光像素点直径最小为3.7 μm，远优于目前商业化喷墨打印水平（10-30 μm）。近红外发光（nir，700-2500 nm）微二极管（micro-led）在生物传感、虚拟现实/增强现实（vr/ar）、遥感和光通讯等领域有重要应用价值，本次研究为在各种应用中探索高效 nir micro led 开辟了新途径。
02
两篇micro led技术论文发布
cea-leti 在 2024 年西部光子学大会上发表两篇有关其 micro led 技术进步的论文。其中，“使用cmos兼容方法与ingan/gan micro led进行并行通信”论文显示，直接在200 mm硅衬底上制造led为生产由专用cmos电路独立控制的几微米led矩阵开辟了道路。cea-leti 还开发了一种在 cmos asic 上集成 gan led 矩阵的专利工艺。在这种 cmos 兼容方法中，通过将 micro led 直接粘合在 200 mm 硅晶圆顶部并使用基于 gan 的器件作为发射器和快速光电探测器，优化了 micro led 的集成。
另外一篇论文为“量子阱厚度对生长在蓝宝石、自支撑gan、硅上的ingan量子阱中载流子扩散长度的影响”；先前研究表明，尽量减少载流子扩散长度似乎是生产高效micro led的关键；而本次论文的实验也表明可通过减小ingan量子阱的厚度来缩短扩散长度。论文主要作者simon litschgi指出，此次研究成果为在200 mm和300 mm硅晶圆上制造更高效的gan micro led器件铺平了道路，这正是显示和通信应用领域最具成本效益的行业尊龙人生就是博官网的解决方案。
图源：cea-leti
gan led 发射和 gan 光电二极管接收在光通信方面具有巨大潜力；
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